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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明涉及导电硅胶技术领域，具体为一种用于小型电子设备的EMI封装的高导电性的硅胶的制备工艺以及使用方法，所述硅胶基本参数如下：所述硅胶的主要成分为占比68％的高度提纯硅树脂，所述硅胶混合占比为32％的镍/碳材质导电颗粒，且该导电颗粒的颗粒度保持在100nm，所述硅胶的制备工艺如下；首先计算好制备硅胶的总质量，同时确保高度提纯硅树脂的占比为68％，镍/碳材质的导电颗粒占比为32％，进行均匀的搅拌即可制备完成，采用该种方式进行制备，该种导电硅胶能够具有良好的附着力和导电性，在室温硫化的情况下仍能保
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112760078 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202110131627.0
(22)申请日 2021.01.30
(71)申请人 珠海金士能科技有限公司
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