一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法.pdfVIP

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2023-06-06 发布于四川
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一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法.pdf

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本发明公开一种基于擦除时间判断NANDFlash对浅擦除处理的方法，本方法首先确定其他因素对擦除时间的干扰，根据确定的其他因素，设置不同的对照组。对不同对照组进行多次擦写操作，每次的写入量保持与之前的写入量相同，并记录擦除时间。将每个对照组，多次擦写的擦除时间计算平均值，并记录数据整理到表格里。基于表格，分析写入量对擦除时间的影响，判断NANDFlash自身是否对浅擦除的块先写无效数据再擦除。本发明可以判断在用户下发擦除命令后，NANDFlash内部是否对浅擦除的块进行写无效数据的处理，用

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112786097 A (43)申请公布日 2021.05.11 (21)申请号 202110124947.3 (22)申请日 2021.01.29 (71)申请人山东华芯半导体有限公司