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一种以微硅粉为Si源制备石墨基Si@C负极材料的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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一种以微硅粉为Si源制备石墨基Si@C负极材料的方法.pdf

    本发明公开一种以微硅粉为Si源制备石墨基Si@C负极材料的方法，所述方法为：将微硅粉进行预处理，然后与镁粉进行球磨混合、还原反应，再经酸洗、离心干燥，即得多孔晶体Si颗粒；将所制备的多孔晶体Si在配置好的PH为8.5的Tris缓冲溶液中与多巴胺均匀混合，使聚多巴胺沉积在Si颗粒的表面，对Si进行包覆，制备出Si@C核壳结构的复合体材料。该复合体材料拥有优异的电化学性能，具有较高的比容量、长循环寿命及高的容量保持率，稳定的循环寿命；碳层与其包裹的Si粒子的孔道结构，也为锂离子的脱、嵌缩短了扩散距离

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768672 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110159087.7 (22)申请日 2021.02.05 (71)申请人 昆明

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