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半导体工艺的监控方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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半导体工艺的监控方法.pdf

    本发明提供一种半导体工艺的监控方法，包括以下步骤。将工艺参数设定在第一条件。进行第一工艺，以在所述第一晶圆上形成第一膜层，其中所述第一膜层未覆盖所述第一晶圆的晶边区。以图像获取装置拍摄具有所述第一膜层的所述第一晶圆，以得到第一晶圆图像。对所述第一晶圆图像进行图像识别，以取得第一数据。依据所述第一数据判断所述第一膜层的位置是否偏移。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802772 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 20191

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