原创力文档- 0
- 0
- 约1.75万字
- 约 21页
- 2023-06-06 发布于四川
- 举报
本申请实施例提供一种电子器件制造方法及相关产品，所述方法包括：提供衬底，并在所述衬底上层叠设置缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层、多晶硅层和保护层，得到第一形态电子器件；针对所述第一形态电子器件，刻蚀预设位置上的所述保护层和所述多晶硅层，得到第二形态电子器件，所述第二形态电子器件包括第一凸部，所述第一凸部从所述钝化层延伸至所述保护层表面，所述第一凸部包括接触所述钝化层的凸部底面、背离所述钝化层的凸部顶面及连接于所述凸部底面与所述凸部顶面之间的凸部侧面；针对所述第二形态电子器件，根据所述第一凸部制作栅
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112768357 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202011637766.2
(22)申请日 2020.12.31
(71)申请人 深圳市汇芯通信技术有限公司
文档评论（0）