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- 2023-06-06 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成初始牺牲层；对所述初始牺牲层的侧壁进行改性处理工艺，在所述初始牺牲层的侧壁形成过渡层；去除所述过渡层，形成牺牲层。所述形成方法减小了牺牲层的侧壁粗糙度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112802736 A
(43)申请公布日
2021.05.14
(21)申请号 20191
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