一种薄膜型AlGaInP发光二极管结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-06 发布于四川
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一种薄膜型AlGaInP发光二极管结构及其制备方法.pdf

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本发明涉及半导体发光器件领域，特指一种薄膜型AlGaInP发光二极管结构及其制备方法。所述二极管结构包括：P电极、基板、键合金属层、反射金属层、高阻半导体层、P面接触电极、P型层、发光层、N型层、N型欧姆接触层、N电极。在P型层与反射金属层之间设有高阻半导体层，在N电极正下方之外区域的高阻半导体层内留有空缺，并在空缺处设有P型接触电极与P型层相连。这种结构不仅能调控电流走向，同时高阻半导体层和P型层是一体的，且反射金属层与半导体高阻层的粘附力也远高于反射金属层与介质层的粘附力，从而解决了由于介质

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112786750 B (45)授权公告日 2022.05.20 (21)申请号 202110197020.2 (22)申请日 2021.02.22 (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号 C