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- 2023-06-06 发布于四川
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本申请涉及一种肖特基二极管，包括壳体和本体，本体包括：重掺杂N型SiC衬底；轻掺杂N型SiC层，其生长在重掺杂N型SiC衬底上；重掺杂P型环区，其形成于轻掺杂N型SiC层上；轻掺杂P型环区，其形成于重掺杂P型环区内；介质保护层，其沉积在轻掺杂N型SiC层上；金属层，结合于轻掺杂N型SiC层上表面且与重掺杂P型环区和轻掺杂P型环区抵接，并进行退火处理形成肖特基结；阳极电极，其连接在金属层上；阴极电极，其连接在重掺杂N型SiC衬底背面形成欧姆接触。本申请通过重掺杂P型环区和轻掺杂P型环区的设置，形成
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112768507 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202110037588.8
(22)申请日 2021.01.12
(71)申请人 苏州高新区华成电子有限公司
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