存储器的制备方法.pdfVIP

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2023-06-06 发布于四川
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存储器的制备方法.pdf

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本发明提供一种存储器的制备方法，涉及半导体集成电路制造技术，用于解决存储器的性能差的问题。该存储器的制备方法包括如下步骤：提供基底；在基底上形成第一隔离层；在第一隔离层上形成第一掩膜层；在第一掩膜层上以及部分第一隔离层上形成第二隔离层；在第二隔离层上形成第二掩膜层；去除部分第二掩膜层和部分第二隔离层，保留下的第二隔离层的顶面与第一掩膜层的顶面平齐；去除第一掩膜层和剩余的第二掩膜层；在第一隔离层和保留下的第二隔离层上形成第三掩膜层；去除部分第三掩膜层；以保留下的第三掩膜层为掩膜，刻蚀保留下的部分第

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112786536 B (45)授权公告日 2022.07.08 (21)申请号 202110128863.7 (56)对比文件 (22)申请日 2021.01.29