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基于凹槽阳极结构的AlGaN基双沟道肖特基二极管及制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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基于凹槽阳极结构的AlGaN基双沟道肖特基二极管及制备方法.pdf

    本发明涉及一种基于凹槽阳极结构的AlGaN基双沟道肖特基二极管及制备方法，该二极管包括：自下而上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、第一势垒层、超晶格层、第二势垒层和GaN帽层，其中，沟道层和第一势垒层之间形成第一导电沟道，超晶格层与第二势垒层之间形成第二导电沟道；阳极，设置在GaN帽层上，且其底部依次穿过GaN帽层和第二势垒层，位于超晶格层内，阳极与超晶格层形成肖特基接触；阴极，设置在GaN帽层上，且围设在阳极的外周，阴极与阳极之间存在间距，阴极与GaN帽层形成欧姆接触。本发明的基于凹槽阳极结

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768512 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110045034.2 H01L 21/329 (2006.01) (22)申请日

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