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- 2023-06-06 发布于四川
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神经形态电路(500)包括交叉开关突触阵列单元。所述交叉开关突触阵列单元包括互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管(T6),所述CMOS晶体管(T6)的导通电阻由所述CMOS晶体管(T6)的栅极电压控制,以更新所述交叉开关突触阵列单元的权重。神经形态电路(500)还包括一组行线,所述一组行线分别将所述突触阵列单元与所述突触阵列单元的第一端的多个突触前神经元串联连接。神经形态电路(500)还包括一组列线,所述一组列线分别将所述突触阵列单元与所述突触阵列单元的第二端的多个突触后神经元串联连接。通过执
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112805783 A
(43)申请公布日 2021.05.14
(21)申请号 201980065342.2 (74)专利代理机构 中国贸促会专利商标事务所
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