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一种IGBT晶圆的加工工艺.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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一种IGBT晶圆的加工工艺.pdf

    本发明公开了一种IGBT晶圆的加工工艺，包括以下步骤：一种IGBT晶圆的加工工艺，包括以下步骤：S1、IGBT晶圆正面沉积ILD层；S2、晶圆正面永久键合硅基载板；S3、晶圆背面减薄，植入离子并子活化；S4、制作反面金属镀膜；S5、将晶圆背面暂时键合玻璃载板，除去硅基载板；S6、蚀刻ILD层形成缓坡状接触孔，溅镀厚膜Al填充触孔；S7、完成晶圆正面制程；S8、解键合，移除玻璃载板。本发明通过永久键合硅基载板克服了传统工艺暂时键合玻璃板后高温回火温度的限制，以及激光局部离子激活不能对深层

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112786448 B (45)授权公告日 2022.05.31 (21)申请号 202110273974.7 H01L 21/683 (2006.01)

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