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- 2023-06-06 发布于四川
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本申请公开一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件，包括：由电光晶体基片工艺面向电光晶体基片内目标深度掺杂重质量离子；在电光晶体基片工艺面制备与光波导结构相同的掩模；由电光晶体基片工艺面向电光晶体基片内刻蚀，电光晶体基片内刻蚀后剩余的掺杂有重质量离子部分为光波导；填充电光晶体基片工艺面内被刻蚀掉区域，填充材料的折射率小于光波导的折射率，其中，填充于光波导间隙内的填充材料形成波导包覆层，由于在对电光晶体薄膜基片进行刻蚀处理之前，预先在电光晶体薄膜基片进行掺杂处理，使电光晶体薄膜基片内形成晶格损伤，从
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112764244 B
(45)授权公告日 2022.05.17
(21)申请号 202110103546.X (51)Int.Cl.
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