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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明公开了一种串列形六阶基片集成波导交叉耦合滤波器，包括上、下两层RDL结构，所述两层RDL结构分别作为滤波器电路的高电平区域和低电平区域，上下两层RDL的中间采用TSV排布，TSV与上、下RDL一起实现正耦合和负耦合结合的交叉耦合拓扑功能，另外上层RDL两侧分别接输入RDL段和RDL输出段。本发明通过增加两个有限传输零点来提高滤波器的带外抑制性能，并通过利用TSV的优良电学特性，实现了在太赫兹领域内同时具有良好的带内特性和带外特性的基片集成波导滤波器。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112768857 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202011642010.7
(22)申请日 2020.12.31
(71)申请人 西安理工大学
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