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本申请实施例中提供了一种沟槽栅功率器件及其制备方法，所述沟槽栅功率器件的制备方法包括：在半导体基板中形成沟槽栅型MOS结构，所述沟槽栅型MOS结构包括体区、第一沟槽、第二沟槽、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第一多晶硅、第二多晶硅、源区以及第四绝缘层；依次沉积停止层和层间介质层；对所述层间介质层、所述停止层以及所述第一绝缘层进行刻蚀，形成第一接触孔；对所述第一沟槽周围的体区和所述第一接触孔的底部进行刻蚀；对所述第一沟槽周围的体区表面进行掺杂形成接触区。采用本申请中的方案，可以通过在主单元区域
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112838007 B
(45)授权公告日 2022.07.05
(21)申请号 202011638560.1 H01L 29/78 (2006.01)
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