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成像装置(100)包括光活性层(11)的堆叠，所述光活性层(11)至少包括p型光活性层(11p)和n型光活性层(11n)。所述光活性层包括由配体封端的半导体纳米晶体形成的量子点(QD)。读出电子器件包括将所述光活性层(11)夹在中间的电极(13t,13b)。所述电极(13b)的至少一个被分成相应的像素(10p)，用于从相应部分的光活性层收集光生电荷。每个像素(10p)包括放大电路以放大光生电荷，优选使用DG‑FET。中间层(11i)可以设置在p‑型和n‑型光活性层(11p,11n)之间。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112823420 A
(43)申请公布日 2021.05.18
(21)申请号 201980066322.7 (74)专利代理机构 北京英赛嘉华知识产权代理
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