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提供一种半导体装置，其具备半导体基板和设置在半导体基板的上表面的上方的发射电极，半导体基板具有：第一导电型的漂移区；第二导电型的基区，其设置在漂移区与半导体基板的上表面之间；第二导电型的接触区，其设置在基区与半导体基板的上表面之间，并且掺杂浓度高于基区的掺杂浓度；沟槽接触部，其连接于发射电极，并且以贯穿接触区的方式设置，且为导电材料；以及第二导电型的高浓度插塞区，其与沟槽接触部的底部接触地设置，并且掺杂浓度高于接触区的掺杂浓度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112823414 A
(43)申请公布日 2021.05.18
(21)申请号 202080005494.6 (74)专利代理机构 北京铭硕知识产权代理有限
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