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半导体气体传感器及其制备方法和应用.pdfVIP

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  • 2023-06-07 发布于四川
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半导体气体传感器及其制备方法和应用.pdf

    本发明公开了一种半导体气体传感器及其制备方法和应用。所述半导体气体传感器包括异质结和与异质结配合的第一电极、第二电极，所述异质结中形成有二维电子气或二维空穴气，所述第一电极与第二电极通过所述二维电子气或二维空穴气电连接；所述异质结表面分布有多个深能级位点，所述深能级位点的能级与选定气体分子的LUMO或HOMO能级存在足够的能级差，使得当将所述选定气体分子与所述深能级位点充分接触时，会在所述选定气体分子与所述深能级位点之间发生电子或空穴转移，从而使所述半导体气体传感器的沟道电流变化。本发明实施例提

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112834579 B (45)授权公告日 2022.04.12 (21)申请号 202110017914.9 审查员 沈育德 (22)申请日 2021.01.07

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