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本发明提供一种改进栅结构的槽栅VDMOS器件,包括栅极结构、源极结构、漏极结构和漂移区结构:栅极结构包括栅极金属、重掺杂第一导电类型多晶硅栅电极、轻掺杂第二导电类型多晶硅电极、沟槽氧化层、隔离氧化层;源极结构包括重掺杂第一导电类型源区、中等掺杂第二导电类型体区、重掺杂第二导电类型欧姆接触区、源极金属;漂移区结构包括轻掺杂第一导电类型漂移区;漏极结构包括重掺杂第一导电类型漏区和漏极金属,本发明中的掺杂方式在多晶硅栅内引入了二极管结构,所以分区掺杂的多晶硅栅极内部会形成一个PN结势垒电容,原本的栅漏
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112802903 A
(43)申请公布日 2021.05.14
(21)申请号 202110403026.0
(22)申请日 2021.04.15
(71)申请人 成都蓉矽半导体有限公司
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