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拉晶方法和拉晶装置.pdfVIP

拉晶方法和拉晶装置.pdf

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    本发明公开了一种拉晶方法和拉晶装置。所述方法包括：在拉晶过程中，保持用以容纳硅熔体的坩埚旋转的同时对坩埚内的硅熔体施加水平方向的磁场，其中，当改变所述磁场的磁场强度时和/或当改变所述磁场的磁场强度后，容易引起硅晶棒晶棒和熔体的固液界面温度的波动，通过改变坩埚的旋转速度，改变坩埚内硅熔体的强迫对流，从而快速降低由于磁场强度的改变导致的固液界面温度的波动，使拉晶过程得到的晶棒直径趋于稳定。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112831836 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202011611880.8 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人 上海新昇半导体科技有限公司

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