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本发明公开了一种太阳能电池芯片及其制作方法，包括依次叠放的正面电极层、太阳能功能层、锗衬底以及背面电极层，背面电极层在锗衬底的边缘设置有上沿部，上沿部延伸至锗衬底的侧面并且包覆于锗衬底的侧面，利用上沿部包覆于锗衬底的侧面，从而可以减薄锗衬底的厚度，降低重量，由于背面电极层能够拟补因为减薄锗衬底的厚度而缺失的机械强度，并且能够对锗衬底形成保护，锗衬底不易与外界物品发生直接碰击，锗衬底不易磨损，减低了锗衬底破片率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112820785 B
(45)授权公告日 2021.11.26
(21)申请号 202011586812.0 H01L 31/0216 (2014.01)
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