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本发明涉及一种高线性度复合栅结构的GaN晶体管器件及其制备方法，其中，所述GaN晶体管器件包括：衬底层；若干沟道层，若干所述沟道层依次叠于所述衬底层上；栅极，设置在若干所述沟道层的两侧和顶部，并位于所述GaN晶体管器件的中间位置处，而且至少最底层的所述沟道层的两侧不设置所述栅极；源极，设置在所述若干沟道层上，并位于所述GaN晶体管器件的靠近一侧的位置处；漏极，设置在所述若干沟道层上，并位于所述GaN晶体管器件的靠近另一侧的位置处。本发明的GaN晶体管器件具有较大的电流驱动能力，而且线性度高、静态
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112825330 B
(45)授权公告日 2022.07.22
(21)申请号 201911150121.3 H01L 29/423 (2006.01)
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