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本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置及其生长方法，涉及碳化硅生长技术领域。该碳化硅单晶生长装置包括坩埚、顶盖、碳化硅多晶过渡层和碳化硅耔晶。顶盖盖设于坩埚上，且与坩埚共同围成生长空腔，碳化硅多晶过渡层设置于顶盖靠近生长空腔的一侧，碳化硅耔晶粘接于碳化硅多晶过渡层远离顶盖的一侧。与现有技术相比，本发明提供的碳化硅单晶生长装置由于采用了设置于顶盖上的碳化硅多晶过渡层，所以能够防止顶盖与碳化硅耔晶直接接触，降低由于热膨胀而引起的热应力，避免碳化硅单晶产生位错缺陷和裂纹。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112831841 A
(43)申请公布日 2021.05.25
(21)申请号 202011633769.9
(22)申请日 2020.12.31
(71)申请人 湖南三安半导体有限责任公司
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