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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种SGT结构及其制作方法。其中结构包括:沟槽,由半导体衬底的上表面向下延伸;沟槽下部空间的内表面上覆盖有屏蔽介质层,屏蔽介质层包围形成第一容置空间;源极多晶硅,填充第一容置空间,且源极多晶硅的顶端外露于第一容置空间;第一隔离介质层,覆盖在源极多晶硅外露部分两侧的屏蔽介质层上;第二隔离介质层,覆盖在外露的源极多晶硅表面上,和,沟槽上部空间的内表面上;第一隔离介质层和第二隔离介质层包围形成第二容置空间;栅极多晶硅,填充第二容置空间;制作方法用于制作上述
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112802892 A
(43)申请公布日 2021.05.14
(21)申请号 202110011298.6
(22)申请日 2021.01.06
(71)申请人 华虹半导体(无锡)有限公司
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