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本发明公开了一种辐射不敏感单模光纤,涉及耐辐射光纤领域,该光纤由内至外依次包括:纤芯、过渡包层、下陷包层和外包层;其中,所述纤芯和所述过渡包层均包含掺氟元素的石英材料;所述下陷包层和所述外包层均包含氟元素与耐辐射金属离子共掺的石英材料。本发明提供的辐射不敏感单模光纤不仅具有较低的本征损耗,并且对于总剂量为2MGy内的稳态γ辐射具有良好的辐射耐受性。此外,本发明提供的辐射不敏感单模光纤对85℃温度下的干热老化环境或湿度为85%、温度为85℃下的湿热老化环境具有较强的稳定性,可以克服传统光纤在热核辐
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112824943 B
(45)授权公告日 2022.07.15
(21)申请号 201911140954.1 (51)Int.Cl.
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