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本发明提供了一种掩膜版，涉及光伏电池制造领域。掩膜版包括：掩膜框体、设置在掩膜框体内的若干掩膜条；掩膜条的两端分别与掩膜框体的两个相对侧边连接，掩膜条在掩膜框体中以纵向和/或横向的方式布置；掩膜条的膨胀系数与硅片的膨胀系数两者的差值小于6×10‑6/℃。本发明实施例中，可以采用掩膜版与硅片表面紧密接触，并仅通过一次沉积操作就可以实现在光伏电池片表面形成安置电极的凹槽区域和功能层所处区域，不需要额外投入昂贵的设备，减少了工艺流程，提高了生产效率，并且，掩膜条的膨胀系数与硅片的膨胀系数相对接近，从而
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112813382 A
(43)申请公布日 2021.05.18
(21)申请号 202011569059.4 H01L 31/18 (2006.01)
(22)申请日 2
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