半导体器件及其制造方法.pdfVIP

半导体器件及其制造方法.pdf

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一种半导体器件可以包括：在衬底上的多个下电极；在相邻下电极之间并且包括金属材料的第一电极支撑件；在下电极和第一电极支撑件上以沿第一电极支撑件和每个下电极的轮廓延伸的介电层；以及在介电层上的上电极。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112838163 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202011324611.3 (22)申请日 2020.11.23 (30)优先权数据 10-2019-0

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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