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2023-06-07 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

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本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。在两个半导体芯片的操作电压彼此不同的数字隔离器中可能会发生介电击穿。解决方案：一种半导体器件包括：第一半导体衬底，具有第一表面和形成在第一表面的另一侧上的第二表面；第一电路，形成在第一表面上；第一电感器，电连接到第一电路并且被形成为与第一半导体衬底重叠；第二半导体衬底，具有第三表面和形成在第三表面的另一侧上的第四表面；第二电路，形成在第三表面上；以及第二电感器，电连接到第二电路并且被配置为与第一电感器电磁感应耦合；其中在第二表面上形成穿透第一半导体衬底

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820720 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202011287824.3 (22)申请日 2020.11.17 (30)优先权数据 2019-2075

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