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本发明涉及一种存储器的编程操作方法及装置，存储器包括在预设方向上依次设置的第一输入端、第一存储串和第二存储串和第二输入端，第一存储串包括串联的多个第一存储单元，第二存储串包括串联的多个第二存储单元，编程操作方法包括：进行编程操作的预充电，包括向第一输入端提供第一预设电压，并对第一存储单元的栅极层提供第二预设电压，以对第一存储串中的沟道进行预充电；进行编程操作，以对第二存储单元进行编程，从而在对第二存储串进行编程操作时，能够在该编程操作的预充电阶段有效降低沟道的电荷密度，进而减小编程干扰。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112802505 B
(45)授权公告日 2022.05.20
(21)申请号 202110077196.4 G11C 16/10 (2006.01)
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