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2023-06-07 发布于四川
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多值相变存储单元、相变存储器、电子设备及制备方法.pdf

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本申请公开了多值相变存储单元、相变存储器、电子设备及制备方法，属于半导体存储技术领域。该多值相变存储单元包括衬底、位于衬底上的功能层；功能层包括：相变层、顶电极、底电极、第一隔热层和第二隔热层；相变层包括：并联设置或者串联设置的多层相变材料层，至少部分多层相变材料层具有不同的结晶温度和不同的阈值电压；相变层位于顶电极和底电极之间；第一隔热层和第二隔热层相对设置以配合构成隔热空间，相变层、顶电极和底电极整体位于隔热空间内，该多值相变存储单元能够获得更多数目的相态，实现高密度多值存储。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820823 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202011627055.7 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人华为技术有限公司地址

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