一种半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-07 发布于四川
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一种半导体器件及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。半导体器件包括衬底结构以及依次覆盖在衬底结构上的新型金属层、绝缘层和传统金属层，新型金属层的材料与传统金属层的材料不同，绝缘层上设有新型通孔，新型金属层和传统金属层通过新型通孔电连接。上述半导体器件在衬底结构和传统金属层之间增加了新型金属层，并通过新型通孔实现新型金属层和传统金属层之间的连接，结构更加多样化，性能更高，且在制造过程中能够避免不必要的成本损失。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112838050 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202110167903.9 (22)申请日 2021.02.05 (71)申请人泉芯集成电路制造(济南)有限公司