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2023-06-07 发布于四川
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压阻式表压压力传感器的制造方法.pdf

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本发明公开了一种压阻式表压压力传感器的制造方法；在SOI衬底的正面利用深反应离子刻蚀法形成用于制作空腔时的腐蚀停止层的环形结构的深槽一；SOI衬底内设有中间埋氧层；埋氧层用于制作空腔时的腐蚀停止层；在深槽一内填充氧化硅，然后除去表面的氧化硅层以SOI衬底的顶层作为种子层，生长外延硅层；在外延硅层上制作压力传感器的四个压阻并形成惠斯通电桥结构；正面完成后，利用双面光刻法和深反应离子刻蚀法形成用于制作空腔的深槽二；在深槽二内填充氧化硅，并利用干法刻蚀法选择性的去除深槽二底部的氧化硅；用硅的湿法腐蚀液

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112834106 B (45)授权公告日 2022.07.29 (21)申请号 202110054310.1 (56)对比文件 (22)申请日 2021.01.15

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