一种二维Ni-Ir多孔纳米片及其制备方法与应用.pdfVIP

一种二维Ni-Ir多孔纳米片及其制备方法与应用.pdf

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本发明公开了一种二维Ni‑Ir多孔纳米片及其制备方法与应用,以镍氰化物、铱盐作为前驱体,经过油浴热制得二维层状结构的Hoffman型配合物前驱体,再经过高温煅烧氧化后,在特定的电化学窗口下还原得到一种二维Ni‑Ir多孔纳米片。与传统制备方法相比,本发明方法工艺操作简单,用去离子水即可除去溶液中的杂离子,煅烧氧化过程不会释放温室气体,电化学还原过程干净环保无污染。本发明方法制备得到的二维Ni‑Ir多孔纳米片纯度极高,具有比表面积大,活性位点多,电子传导性好,结构稳定等优点,对析氧展现出优异的电催化

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112795950 B (45)授权公告日 2021.12.21 (21)申请号 202011572984.2 C25B 1/04 (2021.01)

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