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本发明提供了一种碳化硅晶片及其加工方法，碳化硅晶片的加工方法包括：将清洗分类后的碳化硅晶片进行双面粗磨；将经过双面粗磨后的碳化硅晶片进行双面精磨；将经过双面精磨后的碳化硅晶片进行催化剂辅助化学机械抛光；其中，抛光液为采用第一研磨颗粒、第一分散剂、氧化剂、催化剂、PH调节剂及去离子水形成的酸性胶体；所述研磨颗粒、分散剂、氧化剂、催化剂、PH调节剂及去离子水的质量占比为5～15：2～5：10～20：3～5：5～10：45～75。该加工方法大大缩短了化学机械抛光工艺过程所需要的时间，并获得表面符合平整
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112809458 B
(45)授权公告日 2022.05.06
(21)申请号 202110055105.7 (51)Int.Cl.
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