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动态存储器及SOC芯片.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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动态存储器及SOC芯片.pdf

    本申请提供一种动态存储器以及SOC芯片，动态存储器包括衬底和设置在衬底上的多个存储单元，存储单元下层MOS管组件和上层MOS管组件，通过在下层MOS管组件中设置第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管和第二MOS管的栅极电容可作为存储单元的存储电容，和只设置一个MOS管相比提高了存储容量。由于动态存储器的衬底材料是硅，因此动态存储器可以作为嵌入式存储器与SOC芯片、处理器芯片等制作在同一个硅晶圆上，通过使第一MOS管和第二MOS管共用源极，因此减少了第一MOS管和第二MOS管在衬底上所占的面积，

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116234298 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202210094244.5 (22)申请日 2022.01.26 (71)申请人 北京超弦存储器研究院 地址 10

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