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- 2023-06-08 发布于四川
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本发明提供了一种基于金属性插层的1S1R器件及其制备方法，该器件其包括：底电极、转换层、金属性插层、阻变层和顶电极；其中，金属性插层的材料为Ti薄膜、ITO薄膜和TiN薄膜中的一种。本申请的1S1R器件，通过在1S1R器件中引入金属性插层，金属性插层作为中间电极连接两功能层，更重要地是使得选通管单元和阻变存储器单元的氧空位在工作过程中互相不干扰，保证了两个单元的独立正常工作，增强了其稳定性，与现有技术相比，具有稳定的直流耐受性、十分稳定的SET电压、RESET电压、阈值电压和保持电压等相关电压，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112885869 A
(43)申请公布日 2021.06.01
(21)申请号 202110150113.X
(22)申请日 2021.02.03
(71)申请人 湖北
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