1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

在ZnO纳米线表面低温外延生长高质量GaN薄膜的方法.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约9.47千字
  • 约 9页
  • 2023-06-08 发布于四川
  • 举报

在ZnO纳米线表面低温外延生长高质量GaN薄膜的方法.pdf

    本发明属于半导体器件制备技术领域，具体为一种在ZnO纳米线表面低温外延生长高质量GaN薄膜的方法。本发明采用等离子体增强原子层沉积技术，利用等离子增强原子层沉积能够大大降低生长温度的优势，使用前驱体三甲基镓作为镓源，氨气作为氮源；通过调节等离子体功率和前驱体脉冲时间工艺参数，实现高质量GaN薄膜的可控生长。本发明方法成功实现了GaN薄膜的低温异质外延生长，结晶性好，具有与ZnO纳米线完美匹配的晶向，且外延层厚度可原子层级精确调控。在功率器件、微电子、晶体管、传感器、光电探测、光电催化和能源等领域

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112853319 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202110025235.6 (22)申请日 2021.01.08 (71)申请人 复旦大学 地址 20

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >