沟槽型场效应晶体管结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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沟槽型场效应晶体管结构及其制备方法.pdf

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本发明提供一种沟槽型场效应晶体管结构及制备方法，制备方法包括：提供衬底，形成外延层，在外延层中形成器件沟槽，形成屏蔽介质层、屏蔽栅层、第一隔离介质层、栅介质层、栅极层、第二隔离介质层、体区、源极、源极接触孔、源极电极结构以及漏极电极结构。本发明在沟槽型场效应晶体管结构的制备过程中采用自对准工艺，使得元胞单元尺寸(Pitch)不受限于光刻机曝光能力和光刻机对位精度，从而可以进一步减小器件元胞单元尺寸，提高元胞密度，降低器件沟道电阻，得到电性参数稳定且特征导通电阻低的器件结构；通过设置包括“T”结构

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112864018 B (45)授权公告日 2022.07.19 (21)申请号 201911192262.1 H01L 29/417 (2006.01)