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- 2023-06-08 发布于四川
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本发明公开了一种新型耐高温SiCMOSFET半桥多层封装结构，包括封装层及引片结构，其中，封装层内设置有第一镀金金属化芯区及第二镀金金属化芯区，封装层的表面开设有自上到下分布的通孔结构，引片结构插入于通孔结构内后与封装层之间密封，第一镀金金属化芯区上设置有上桥臂半导体芯片，第二镀金金属化芯区上设置有下桥臂半导体芯片，其中，引片结构与上桥臂半导体芯片及下桥臂半导体芯片相连，该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112864140 A
(43)申请公布日 2021.05.28
(21)申请号 202011638747.1
(22)申请日 2020.12.31
(71)申请人 西安交通大学
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