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- 2023-06-08 发布于四川
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本发明涉及一种基于薄膜晶体管的DNA传感器及其制备方法，DNA传感器包括薄膜晶体管及DNA分子探针，薄膜晶体管包括基板衬底、栅电极、绝缘层、源漏电极及半导体层，基板衬底、栅电极、绝缘层由下而上依次设置，半导体层设置在绝缘层上，源漏电极与半导体层接触，DNA分子探针固定在源漏电极上。与现有技术相比，本发明采用源漏电极作为基底，在源漏电极上固定DNA分子探针，避免了有机半导体层上的物理吸收对水分和某些离子的影响，改善了电荷注入，增强了传感器饱和电流和载流子迁移率，从而提高了DNA传感器的稳定性和灵敏
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112864252 A
(43)申请公布日 2021.05.28
(21)申请号 202110008217.7
(22)申请日 2021.01.05
(71)申请人 上海
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