一种光电转换装置的形成方法.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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一种光电转换装置的形成方法.pdf

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一种光电转换装置的形成方法，包括：提供P‑型半导体衬底；N‑型光电二极管掺杂区，P+型空穴累积区，N型电荷保持区，P型电荷阻挡区，位于栅极绝缘层上方的传输栅电极、倍增栅电极、读取栅电极，复位栅电极结构，悬浮掺杂区，包括N+型子悬浮掺杂区和N‑型子悬浮掺杂区，所述N+型子悬浮掺杂区包围所述N‑型子悬浮掺杂区，N+型复位漏极区，可有效了N‑型光电二极管掺杂区至N+型复位漏极区的漏电，提高电学性能。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112885931 B (45)授权公告日 2022.09.06 (21)申请号 202110022527.4 H01L 31/0352 (2006.01)