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本发明提供了一种CuGa2‑GaIn固‑液双相导电薄膜的制备方法，该方法创新性的通过以低成本Cu为固相活性点，Ga为两相活性层，经过真空热处理使得Cu与Ga反应生成固相CuGa2，同时Ga与上层In原子合金化，在Ga、In接触的上界面层生成液相GaIn合金，由于Cu只能与Ga发生金属间化学反应，从而避免Cu对液相GaIn合金的成核影响，该方法解决了固‑液双相薄膜精准组装的技术难题，并解决了当前Au‑Ga固‑液双相材料体系存在的耐低温能力弱及贵金属Au为固相活性点成本高的问题，在柔性电子电极领域具
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112853277 B
(45)授权公告日 2022.06.14
(21)申请号 202110044151.7 C23C 14/02 (2006.01)
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