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降低表面缺陷影响的刻蚀方法.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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降低表面缺陷影响的刻蚀方法.pdf

    本公开实施例公开了一种降低表面缺陷影响的刻蚀方法。所述方法包括：提供表面包括凸起和/或凹陷的基底结构作为表面缺陷基底；在所述基底结构上形成第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层包括覆盖所述凸起和/或凹陷的第一表面；所述第一掩膜层还包括平坦的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对设置；在所述平坦的第二表面上形成第二掩膜层；刻蚀所述第二掩膜层和所述第一掩膜层，以形成垂直穿过所述基底结构的凹槽。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112864003 B (45)授权公告日 2022.02.22 (21)申请号 202110044463.8 H01L 27/11524 (2017.01)

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