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- 2023-06-08 发布于四川
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本申请具体涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成第一氮化镓层；于第一氮化镓层上形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有若干个开口；于图形化掩膜层的上表面和/或开口暴露出第一氮化镓层的上表面形成碳化硅层或石墨烯层；于开口内及碳化硅层的上表面或石墨烯层的上表面形成第二氮化镓层。上述实施例中的半导体结构的制备方法中，通过先在图形化掩膜层的上表面形成碳化硅层或石墨烯层，而后再形成第二氮化镓层，可以减少位错、缺陷，改善晶体质量，使第二氮化镓层更容易从图形化掩膜层上剥离。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112864001 A
(43)申请公布日 2021.05.28
(21)申请号 202011637943.7
(22)申请日 2020.12.31
(71)申请人 镓特
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