一种基于铝钪氮的忆阻器、其制备方法及应用.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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一种基于铝钪氮的忆阻器、其制备方法及应用.pdf

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本发明提供了一种基于铝钪氮的忆阻器、其制备方法及应用。通过成分比例固定的Al0.73Sc0.27N铝钪氮陶瓷作为溅射靶材，利用高能量射频溅射到Pt底电极层上，避免了反应溅射Al、Sc比例偏离、薄膜性能不高等问题。该忆阻器的制备方法如下：清洗、干燥基体；在Pt底电极层上通过磁控溅射法生长Al0.73Sc0.27N功能层；在Al0.73Sc0.27N功能层上生长Pd顶电极层。本发明所提供的忆阻器与传统记忆存储器件相比，提高了它们在人工中的潜在应用，在模拟神经元系统中开发实现新的生物神经元功能，其性能

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116234417 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202310062947.4 (22)申请日 2023.01.19 (71)申请人河北大学地址 071002