原创力文档- 13
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- 2023-06-08 发布于四川
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本发明提供一种用于半导体电流密度分析的磁场反演电流计算方法，包括如下步骤：通过磁场测定装置测定被测半导体同平面近处指定同心圆位置的切向磁场，得到切向磁场测定集合；计算被测半导体同平面近处所述指定同心圆位置的叠加磁场，得到切向磁场计算集合；根据所述切向磁场测定集合与所述切向磁场计算集合构建适应值函数；基于所述适应值函数进行半导体电流的启发式搜索计算。解决现有大功率压接式半导体器件通常为圆饼状或者方形封装的密封结构，受限于这种密封结构，难以探测到内部的电流密度分布情况的问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112858862 B
(45)授权公告日 2022.06.28
(21)申请号 202110016867.6 审查员 陈梦慧
(22)申请日 2021.01.07
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