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可以提供一种导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：晶体管主体，沿第一水平方向延伸并且包括沿第一水平方向顺序地布置的第一源/漏区、单晶沟道层和第二源/漏区；栅电极层，沿与第一水平方向正交的第二水平方向延伸并且覆盖单晶沟道层的上表面和下表面；位线，连接到第一源/漏区，沿竖直方向延伸，并且沿第二水平方向具有第一宽度；间隔件，覆盖第一源/漏区的上表面和下表面，并且具有大于第一宽度的第二宽度；以及单元电容器，沿第一水平方向相对于晶体管主体位于与位线相对的一侧上，并且包括下电极层、上电极层和电容器介电层
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116234311 A
(43)申请公布日 2023.06.06
(21)申请号 202211483775.X
(22)申请日 2022.11.24
(30)优先权数据
10-2021-0172266
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