一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养吸管的形成方式.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养吸管的形成方式.pdf

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本发明公开了一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养吸管的形成方式，包括以下步骤，a、干细胞培养吸管，消毒处理，经高频振荡清洗；b、干细胞培养吸管稳态放置，去水平条件下的立体最大径，订制银靶，将干细胞培养吸管置入银靶；c、通过电磁溅射，对目标物银靶轰击，在磁控溅射真空室外侧的外靶上860直径0.1cm缠绕铜丝匝，清理真空室，把基底材料(干细胞培养吸管)放置于内靶，封闭真空室，开始对真空室抽真空，真空度为10‑6，d、向真空室中输入惰性气体填充。本发明形成的干细胞培养吸管临床使用具有杀

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112877660 A (43)申请公布日 2021.06.01 (21)申请号 202110037765.2 (22)申请日 2021.01.12 (71)申请人西安