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半导体发光元件.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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半导体发光元件.pdf

    该半导体发光元件具有：n型半导体层，其具有AlGaN或AlInGaN组分；有源层，其包含基于AlGaN的半导体或基于AlInGaN的半导体，并形成在n型半导体层上；p型半导体层，其具有AlN、AlGaN或AlInGaN组分，并形成在有源层上；以及p电极，其形成在p型半导体层上，其中，p型半导体层具有形成在p电极上的接触层，接触层包括具有朝向与p电极的界面减小的带隙的AlGaN层或AlInGaN层，并且接触层具有与p电极接触的隧穿接触层，并且隧穿接触层通过隧穿结连接到p电极。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112868109 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 201980068568.8 (74)专利代理机构 北京三友知识产权代理有限

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