NAND闪存的字线偏置电压生成电路.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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本发明涉及一种NAND闪存的字线偏置电压生成电路,包括:高电压生成部,其用于产生高电压;擦除控制逻辑,其用于根据区块选择信号输出擦除电压及选择信号;电平转换器,其用于转换所述高电压生成部的电压以产生编程模式的字线电压;字线电压控制部,当操作模式未处于擦除模式时,其用于通过第一高电压开关选择所述电平转换器的输出,以作为字线偏置电压进行输出;以及第二高电压开关,其用于在擦除模式下根据所述擦除控制逻辑的控制将擦除电压作为字线偏置电压进行输出。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112863576 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 20201

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